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Hochentwickelte GeOx-Schichten für FinFETs durch plasmagestützte Atomic-Layer-Deposition

30. März 2015 | Verfasser: KJLC Innovate

Germanium (Ge) ist ein vielversprechender Kandidat, um die Leistungsfähigkeit von p-Kanal-Metalloxid-Silizium-Feldtransistoren(MOSFET) zu verbessern. Die erfolgreiche Entwicklung von Ge-basierten Feldeffektbauteilen erfordert die Integration eines qualitativ hochwertigen Dielektrikums mit äquivalenter Oxiddicke (EOT) von weniger als einem Nanometer, das eine sich elektrisch gut verhaltende Halbleiter-Dielektrikum-Grenzfläche bildet. Obwohl GeOx/Ge als vielversprechend gilt, benötigt man aufgrund der thermodynamischen Instabilität sowie der relativ niedrigen Dielektrizitätskonstante von GeOx eine alternative Herangehensweise. Die Verwendung einer ultradünnen Si-Schicht zur Modifizierung der Halbleiter-Dielektrikum-Grenzfläche von Ge zu Si ist ein praktikabler Ansatz, der erfolgreich demonstriert wurde. Die Einführung einer dünnen Si-Schicht in den Stack ist jedoch nicht kompatibel mit dem 3D-FinFET-Herstellungsprozess und führt auch zu erhöhten EOT. Es ist daher wünschenswert, einen mehrschichtigen Gate-Stack durch atomare Schichtabscheidung (ALD) zu entwickeln, bei dem eine ultradünne GeOx-Schicht thermodynamisch stabilisiert und mit einem dielektrischen High-K-Film kombiniert werden kann, um die strengen Anforderungen einer niedrigen Grenzflächenfallendichte und einer großen Kapazitätsdichte zu erfüllen und gleichzeitig einen geringen Gate-LeckStrom unter der Bedingung der vollen Kompatibilität mit modernen 3D-FinFET-Geometrien zu erhalten.

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Schlagwörter:
INNOVATE Systeme Vakuumwissenschaft



Integriertes System für die High-k+Metal-Gate-Entwicklung

25. März 2015 | Verfasser: KJLC Innovate

Kurt J. Lesker Company und Penn State University haben gemeinsam ein Multi-Technik-Prozess-Tool entwickelt, das die High-k+Metal-Gate-Entwicklung für die Hochmobilitätskanal-Transistortechnologie ermöglicht.

Die Doppelprozesskammer ermöglicht die Präparation von reinen Halbleiteroberflächen und deren Passivierung (UHV-MBE), während das PEALD-System modernste High-K-Beschichtungsmöglichkeiten bietet. Beide Prozesskammern sind mit analytischen Anschlüssen zur in-situ Prozessüberwachung und -steuerung mittels spektroskopischer Ellipsometrie (SE) ausgestattet.

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INNOVATE Systeme Vakuumwissenschaft



     
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